Модуль энергонезависимой памяти FRAM 256k бит/32k байт

Описание

FRAM (ферроэлектрическая оперативная память) — это современная энергонезависимая память, сочетающая в себе преимущества SRAM (очень высокая скорость чтения и записи) с надежностью Flash/EEPROM. Использование ферроэлектрического слоя вместо традиционного диэлектрика позволяет хранить данные без питания и записывать их практически мгновенно.

Этот модуль FRAM взаимодействует по шине I2C и идеально подходит для маломощных устройств, регистраторов данных, кэширования данных и приложений с нестабильным электропитанием. В отличие от EEPROM и Flash, память FRAM не требует обслуживания страниц и характеризуется чрезвычайно высоким числом циклов записи.

Характеристики

• Тип памяти: FRAM (ферроэлектрическая оперативная память)
• Емкость: 256 кбит (32 кБ)
• Интерфейс связи: I2C
• Максимальная скорость I2C: до 1 МГц
• Энергонезависимость данных: до 95 лет (при комнатной температуре)
• Длительность работы: до 10¹³ циклов записи на байт
• Напряжение питания и логическое напряжение: 3 В или 5 В (совместимо с 5 В).
• Нет ограничений на количество страниц памяти (побайтовая запись).
• Размеры: 15,5 × 20 × 2 мм
• Расстояние между монтажными отверстиями: 14 мм
• Вес: 1,2 г
• Форм-фактор: плата расширения, удобна для макетной платы.

Включено

• Модуль памяти FRAM I2C 256 кбит (32 кБ) на плате расширения
• 0,1-дюймовый позолоченный штырьковый разъем (штекер) для самопайки